兵器工業集團兩項技術入選2022年“科創中國”先導技術榜 |
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近日，中國科協發布2022年(nian)“科創中國”系列榜單遴選結果(guo)，中國兵器工業集(ji)團(tuan)微電子院“高(gao)性能(neng)MOEMS晶圓制造技術(shu)”、西安(an)近代化(hua)學研(yan)究所(suo)“原子層沉積（ALD）納米制造技術(shu)”入(ru)選“科創中國”先(xian)導(dao)技術(shu)榜（產業基(ji)礎領域）。 高性能MOEMS晶圓制造技術 微電子(zi)院突破高(gao)性能MOEMS晶圓(yuan)制(zhi)造系(xi)列(lie)關鍵(jian)技術，多項(xiang)技術和產(chan)品填補國(guo)內空(kong)白，建立了(le)國(guo)際先(xian)進、具有自(zi)主知識產(chan)權(quan)的(de)技術體系(xi)，實現了(le)光(guang)(guang)衰(shuai)減器(qi)、光(guang)(guang)開關陣列(lie)、可(ke)調光(guang)(guang)濾波器(qi)、MOEMS掃描鏡等產(chan)品的(de)研(yan)發生產(chan)，這些產(chan)品是光(guang)(guang)交叉、智能光(guang)(guang)束控制(zhi)和掃描成像的(de)核心芯(xin)片，在(zai)5G通信、無人(ren)駕駛、智慧(hui)工業(ye)等領(ling)域具有廣闊(kuo)的(de)應用前景(jing)，為國(guo)家(jia)發展戰(zhan)略(lve)性新興(xing)產(chan)業(ye)提供重要支(zhi)撐(cheng)。 原子層沉積（ALD）納米制造技術 原子層沉(chen)積（ALD）是一(yi)種先進(jin)的(de)薄膜沉(chen)積與納米(mi)結構制造技(ji)術，借(jie)助該(gai)技(ji)術可(ke)對物質表(biao)面組(zu)成及結構進(jin)行原子層面的(de)精確(que)操縱，在材(cai)料(liao)表(biao)面引入特(te)定的(de)物理或化學(xue)性質，實(shi)(shi)現(xian)多種納米(mi)材(cai)料(liao)的(de)高精度可(ke)控合成。西安近代化學(xue)研究所原子層沉(chen)積表(biao)面工程(cheng)與納米(mi)制造技(ji)術團(tuan)隊具備開展(zhan)ALD先進(jin)設備及工藝研發、高水(shui)平基礎研究以(yi)及工程(cheng)化應用(yong)能力(li)，通(tong)過自主創新，初步實(shi)(shi)現(xian)了ALD先進(jin)設備及相(xiang)關(guan)技(ji)術產業(ye)化，并且開創性地將ALD技(ji)術成功應用(yong)于多個研究方向，成為推(tui)動我國ALD技(ji)術發展(zhan)的(de)中堅力(li)量。 據了(le)解，“科(ke)創中(zhong)國”榜單由中(zhong)國科(ke)協設立，旨在(zai)通過優(you)選引領人物、新銳企業及(ji)先導(dao)技術，引導(dao)探索技術服務與交易新業態、新組織(zhi)、新模式(shi)，激(ji)活創新引領的合作動能，為實現高水平科(ke)技自(zi)立自(zi)強提(ti)供支撐(cheng)。 來(lai)源(yuan)/微(wei)電(dian)子院、西安近(jin)代化學研究所 |
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